GSD07N65E
IC
TO-252
可供量大可议
GSD07N65E
GSx07N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品， 采用先进技术， 具备更优特性， 如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
品牌
XCH
封装
TO-252
库存
2,017
货期
现货
GSD07N65E参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | XCH(旭昌辉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2017 |
GSD07N65E概述
GSx07N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品， 采用先进技术， 具备更优特性， 如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
GSD07N65E特性
暂无产品特性。
GSD07N65E应用领域
暂无应用领域。