GSA20N65E
IC
TO-220F
可供量大可议
GSA20N65E
芯淳半导体(XCH Semiconductor)拥有适用于500V至1000V电压的系列多外延(Multi - EPI)超结功率MOSFET平台, 具备设计服务和制造能力, 包括晶胞、终端设计与仿真。 GSx20N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品, 采用先进技术, 具有更优特性, 如快速开关时间、低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
Brand
XCH
Package
TO-220F
Stock
46
货期
现货
GSA20N65EParameters
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | XCH(旭昌辉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
GSA20N65E概述
芯淳半导体(XCH Semiconductor)拥有适用于500V至1000V电压的系列多外延(Multi - EPI)超结功率MOSFET平台, 具备设计服务和制造能力, 包括晶胞、终端设计与仿真。 GSx20N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品, 采用先进技术, 具有更优特性, 如快速开关时间、低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
GSA20N65E特性
暂无产品特性。
GSA20N65E应用领域
暂无应用领域。
