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GSA20N65E
IC

TO-220F

可供量大可议

GSA20N65E

芯淳半导体(XCH Semiconductor)拥有适用于500V至1000V电压的系列多外延(Multi - EPI)超结功率MOSFET平台, 具备设计服务和制造能力, 包括晶胞、终端设计与仿真。 GSx20N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品, 采用先进技术, 具有更优特性, 如快速开关时间、低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)、低导通电阻以及出色的雪崩特性。

Brand

XCH

Package

TO-220F

Stock

46

货期

现货

GSA20N65EParameters

封装TO-220F
品牌XCH(旭昌辉)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存46

GSA20N65E概述

芯淳半导体(XCH Semiconductor)拥有适用于500V至1000V电压的系列多外延(Multi - EPI)超结功率MOSFET平台, 具备设计服务和制造能力, 包括晶胞、终端设计与仿真。 GSx20N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品, 采用先进技术, 具有更优特性, 如快速开关时间、低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)、低导通电阻以及出色的雪崩特性。

GSA20N65E特性

暂无产品特性。

GSA20N65E应用领域

暂无应用领域。

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