GS61004B-TR

增强模式氮化镓硅功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 采用行业领先的创新技术， 如获得专利的岛式技术和GaNₚₓ封装。 岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。 GaNₚₓ封装在小尺寸封装中实现了低电感和低热阻。 底部冷却晶体管， 为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。 这些特性结合在一起， 提供了非常高效的功率开关。