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GP3D010A065D-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

GP3D010A065D-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

13

货期

现货

GP3D010A065D-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存13

GP3D010A065D-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

GP3D010A065D-HXY特性

暂无产品特性。

GP3D010A065D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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