GP3D010A065D-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
GP3D010A065D-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
13
货期
现货
GP3D010A065D-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 13 |
GP3D010A065D-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.3V, 反向漏电流(IR)为50μA, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达80A。 器件利用碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。
GP3D010A065D-HXY特性
暂无产品特性。
GP3D010A065D-HXY应用领域
暂无应用领域。
