GP3D010A065A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
GP3D010A065A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.5V, 反向漏电流仅为60μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其最大正向浪涌电流能力为90A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。 器件凭借碳化硅材料优势, 在高开关频率下仍能保持较低损耗, 适合用于各类高效、紧凑型电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
GP3D010A065A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
GP3D010A065A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.5V, 反向漏电流仅为60μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其最大正向浪涌电流能力为90A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。 器件凭借碳化硅材料优势, 在高开关频率下仍能保持较低损耗, 适合用于各类高效、紧凑型电力电子系统中。
GP3D010A065A-HXY特性
暂无产品特性。
GP3D010A065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
