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GP2D010A065A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

GP2D010A065A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至60μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景, 如开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统, 能够有效降低开关损耗并提升整体能效。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

19

货期

现货

GP2D010A065A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存19

GP2D010A065A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至60μA, 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景, 如开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统, 能够有效降低开关损耗并提升整体能效。

GP2D010A065A-HXY特性

暂无产品特性。

GP2D010A065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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