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GP2D006A065A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

GP2D006A065A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达32A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势, 在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能, 适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

GP2D006A065A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

GP2D006A065A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达32A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势, 在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能, 适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。

GP2D006A065A-HXY特性

暂无产品特性。

GP2D006A065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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