GP2D006A065A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
GP2D006A065A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达32A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势, 在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能, 适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
GP2D006A065A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
GP2D006A065A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达32A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势, 在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能, 适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。
GP2D006A065A-HXY特性
暂无产品特性。
GP2D006A065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
