GL25N40A8
IC
TO-220
可供量大可议
GL25N40A8
硅N沟道增强型VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能， 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-220， 符合RoHS标准。
品牌
GL
封装
TO-220
库存
1
货期
现货
GL25N40A8参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | GL(光磊) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
GL25N40A8概述
硅N沟道增强型VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能， 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-220， 符合RoHS标准。
GL25N40A8特性
暂无产品特性。
GL25N40A8应用领域
暂无应用领域。