GKI03061-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
GKI03061-HXY
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A， 漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7mΩ， 栅源电压（VGS）最大额定值为20V。 器件在高电流条件下保持较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类开关电路中， 能有效支持大电流负载的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
GKI03061-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
GKI03061-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A， 漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7mΩ， 栅源电压（VGS）最大额定值为20V。 器件在高电流条件下保持较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类开关电路中， 能有效支持大电流负载的稳定运行。
GKI03061-HXY特性
暂无产品特性。
GKI03061-HXY应用领域
暂无应用领域。