GHD3440QE
IC
QFN24
可供量大可议
GHD3440QE
GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC， 专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计， 适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。 它的内嵌典型死区时间为 250ns， 当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时， 实际死区时间为内嵌死区时间， 反之， 当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时， 实际死区时间为单片机输出死区时间。 内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。 通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。
品牌
Geehy
封装
QFN24
库存
5
货期
现货
GHD3440QE参数
| 封装 | QFN24 |
|---|---|
| 品牌 | Geehy(珠海极海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET； IGBT |
| 工作电压 | 5.5V~18V |
| 下降时间(tf) | 60ns |
| 传播延迟 tpHL | 200ns |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 输入低电平(VIL) | 650mV~1.85V |
| 功能特性 | 交错导通保护； 死区时间控制 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 驱动配置 | 三相 |
| 驱动通道数 | 6 |
| 上升时间(tr) | 90ns |
| 传播延迟 tpLH | 200ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V |
| 静态电流(Iq) | 165uA |
GHD3440QE概述
GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC， 专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计， 适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。 它的内嵌典型死区时间为 250ns， 当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时， 实际死区时间为内嵌死区时间， 反之， 当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时， 实际死区时间为单片机输出死区时间。 内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。 通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。
GHD3440QE特性
暂无产品特性。
GHD3440QE应用领域
暂无应用领域。