GD5F2GQ5UEYIGR
IC
WSON-8-EP(6x8)
可供量大可议
GD5F2GQ5UEYIGR
NAND FLASH 104MHz 2Gbit 3.3V 300us
Brand
Gigadevice
Package
WSON-8-EP(6x8)
Stock
2,790
货期
现货
GD5F2GQ5UEYIGRParameters
| 封装 | WSON-8-EP(6x8) |
|---|---|
| 品牌 | Gigadevice(北京兆易创新) |
| 批次 | 25+ |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 时钟频率(fc) | 104MHz |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 |
| 待机电流 | 50uA |
| 功能特性 | 坏块管理功能； 硬件写保护功能； 读缓存功能； OTP区域写保护与锁定功能； ECC纠错功能； 软件复位功能； 复制回写功能； 写使能锁存； 软件写保护功能 |
| 分类 | NAND FLASH |
|---|---|
| 库存 | 2,790 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 接口类型 | SPI |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 擦写寿命 | 10万次 |
GD5F2GQ5UEYIGR概述
NAND FLASH 104MHz 2Gbit 3.3V 300us
GD5F2GQ5UEYIGR特性
暂无产品特性。
GD5F2GQ5UEYIGR应用领域
暂无应用领域。