GD25Q64CWIGR
自营可供
IC
WSON-8-EP(5x6)
GD25Q64CWIGR
FLASH-NOR-存储器-IC-64Mb-（8M-x-8）-SPI-四-I-O-120MHz-8-WSON（5x6）
品牌
Gigadevice
封装
WSON-8-EP(5x6)
交期
现货
批次
21+
GD25Q64CWIGR参数
| 封装 | WSON-8-EP(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Gigadevice(北京兆易创新) |
| 批次 | 21+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 120MHz |
| 待机电流 | 1uA |
| 页写入时间(Tpp) | 600us |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 64Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(64KB) |
| 功能特性 | 硬件写保护； 绝对写保护； 写使能锁存； 软件写保护 |
GD25Q64CWIGR概述
FLASH-NOR-存储器-IC-64Mb-（8M-x-8）-SPI-四-I-O-120MHz-8-WSON（5x6）
GD25Q64CWIGR特性
- Quad I/O：在支持的命令模式下可使用四线数据总线以提高读速率， 适合对随机读取和大块顺序读取性能有要求的系统。
- 高速 SPI：120MHz 的最大时钟频率允许在带宽受限的总线环境中实现更快的系统启动与数据传输， 利于缩短固件加载时间。
- 宽工作电压：2.7 V 至 3.6 V 的电压范围， 能兼容常见 3.3V 嵌入式平台。
- 低功耗待机：典型待机电流 1 μA， 有利于电池供电或低功耗休眠场景。
- 封装与散热：WSON-8-EP 带焊盘的裸露散热片（EP）有利于热量释放与机械可靠性， 焊盘需良好焊接以获得最优散热与电气接地性能。
GD25Q64CWIGR应用领域
- MCU/SoC 引导与固件存储（Boot ROM、固件升级）
- 嵌入式系统与物联网终端（存储配置、日志与资源文件）
- 消费电子（机顶盒、路由器、智能家居）
- 工业控制（非高压工作环境中用于配置与代码存储）
- 任何需要小型、高速、低功耗外部闪存的场合