GD25B64ESIGR
IC
SOIC-8-208mil
可供量大可议
GD25B64ESIGR
32位ARM Cortex-M系列和RISC-V架构MCU， 具备高性能、低功耗、无线功能， 引脚和软件兼容
品牌
GigaDevice
封装
SOIC-8-208mil
库存
76
货期
现货
GD25B64ESIGR参数
| 封装 | SOIC-8-208mil |
|---|---|
| 品牌 | GigaDevice(兆易创新) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 64Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 商品名称 | 32位ARM Cortex-M系列和RISC-V架构MCU， 具备高性能、低功耗、无线功能， 引脚和软件兼容 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | NOR FLASH |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 76 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 商品型号 | GD25B64ESIGR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000358 |
GD25B64ESIGR概述
32位ARM Cortex-M系列和RISC-V架构MCU， 具备高性能、低功耗、无线功能， 引脚和软件兼容
GD25B64ESIGR特性
- 3V电源电压：2.7V~3.6V
- 高速时钟频率：
- 快速读取最高可达133MHz
- 四路I/O数据传输最高可达532Mbit/s
- 灵活的内存架构：
- 2K字节页面用于读取和编程
- 每块128K字节用于擦除
- 增强的访问性能：2K字节缓存用于快速随机读取
- SPI NAND的高级特性：
- 内部ECC算法
- 支持DTR
- 1.8V电源电压：1.7V~2.0V
- 高速时钟频率：
- 快速读取最高可达104MHz
- 四路I/O数据传输最高可达416Mbit/s
- 灵活的内存架构：
- 2K字节页面用于读取和编程
- 每块128K字节用于擦除
- 增强的访问性能：2K字节缓存用于快速随机读取
- SPI NAND的高级特性：
- 内部ECC算法
- 支持DTR
- 支持深度掉电模式
- 3V电源：2.7V ~ 3.6V
- 密度：1Gb / 2Gb / 4Gb / 8Gb
- 页面大小：2K+64 Bytes / 2K+128 Bytes / 4K+256 Bytes
- 闪存阵列到寄存器时间：25us
- I/O读取性能：12ns / 20ns / 25ns
- 总线宽度：x8 / x16选项
- 温度范围：-40℃到85℃或 -40℃到105℃（此处可能有误， 推测为75℃）
- ONFI 1.0兼容
- 1.8V电源：1.7V ~ 1.95V
- 密度：1Gb / 2Gb / 4Gb / 8Gb
- 页面大小：2K+64 Bytes / 2K+128 Bytes
GD25B64ESIGR应用领域
- TWS耳机充电盒
- 耳机和助听器
- 便携式医疗设备
- 病人监护仪
- 低功耗应用
- 无线基础设施
- 电信/网络卡
- 工业应用
- IPC
- 负载点
- 三相BLDC和PMSM电机
- 电动工具
- 机器人和遥控玩具
- 工业自动化
- 电池管理
- 电池充电器和AFE
- 笔记本电脑
- 清洁机器人
- 航模、无人机
- 储能