GC3M0280090D
IC
TO247-3
可供量大可议
GC3M0280090D
特性：高阻断电压与低导通电阻。 高速开关与低电容。 具有低反向恢复的快速本征二极管（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 照明
品牌
SUPSiC
封装
TO247-3
库存
90
货期
现货
GC3M0280090D参数
| 封装 | TO247-3 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
GC3M0280090D概述
特性：高阻断电压与低导通电阻。 高速开关与低电容。 具有低反向恢复的快速本征二极管（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 照明
GC3M0280090D特性
暂无产品特性。
GC3M0280090D应用领域
暂无应用领域。