GC3M018065P
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
GC3M018065P
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
品牌
SUPSiC
封装
PDFN-8(5x6)
库存
492
货期
现货
GC3M018065P参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 492 |
GC3M018065P概述
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
GC3M018065P特性
暂无产品特性。
GC3M018065P应用领域
暂无应用领域。