GC3M018065F
IC
TO-220F
可供量大可议
GC3M018065F
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
品牌
SUPSiC
封装
TO-220F
库存
167
货期
现货
GC3M018065F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | GC3M018065F |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0023775 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 167 |
| 商品名称 | 碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
GC3M018065F概述
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
GC3M018065F特性
暂无产品特性。
GC3M018065F应用领域
暂无应用领域。