GC3M018065E
IC
TO-252
可供量大可议
GC3M018065E
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
品牌
SUPSiC
封装
TO-252
库存
247
货期
现货
GC3M018065E参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 247 |
GC3M018065E概述
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
GC3M018065E特性
暂无产品特性。
GC3M018065E应用领域
暂无应用领域。