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GC3M0075120K
IC

TO247-4

可供量大可议

GC3M0075120K

特性:优化封装, 带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压, 低导通电阻。 高速开关, 低电容。 快速本征二极管, 低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤, 符合RoHS标准。 应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

品牌

SUPSiC

封装

TO247-4

库存

21

货期

现货

GC3M0075120K参数

封装TO247-4
品牌SUPSiC(国晶微半导体)
批次25+
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)1.39nF
工作温度-40℃~+175℃
导通电阻(RDS(on))75mΩ@15V
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存21
MOQ / SPQ1 / 1
类型N沟道
耗散功率(Pd)136W
栅极电荷量(Qg)53nC
反向传输电容(Crss)2pF
输出电容(Coss)58pF

GC3M0075120K概述

特性:优化封装, 带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压, 低导通电阻。 高速开关, 低电容。 快速本征二极管, 低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤, 符合RoHS标准。 应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

GC3M0075120K特性

暂无产品特性。

GC3M0075120K应用领域

暂无应用领域。

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