GC3M0065100K
IC
TO-247-4
可供量大可议
GC3M0065100K
特性：优化封装， 带有独立驱动源极引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
品牌
SUPSiC
封装
TO-247-4
库存
58
货期
现货
GC3M0065100K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 输入电容(Ciss) | 760pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@15V |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 113.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
GC3M0065100K概述
特性：优化封装， 带有独立驱动源极引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
GC3M0065100K特性
暂无产品特性。
GC3M0065100K应用领域
暂无应用领域。