GC3M0060065K
IC
TO-247-4
可供量大可议
GC3M0060065K
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：EV充电。 服务器电源
品牌
SUPSiC
封装
TO-247-4
库存
38
货期
现货
GC3M0060065K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@15V |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
GC3M0060065K概述
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：EV充电。 服务器电源
GC3M0060065K特性
暂无产品特性。
GC3M0060065K应用领域
暂无应用领域。