GC3M0060065D
IC
TO247-3
可供量大可议
GC3M0060065D
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：EV充电。 服务器电源
品牌
SUPSiC
封装
TO247-3
库存
153
货期
现货
GC3M0060065D参数
| 封装 | TO247-3 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 153 |
GC3M0060065D概述
特性：高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：EV充电。 服务器电源
GC3M0060065D特性
暂无产品特性。
GC3M0060065D应用领域
暂无应用领域。