GC3M0045065K
自营可供
IC
TO-247-4
GC3M0045065K
数量：1个N沟道 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：49A
品牌
SUPSiC
封装
TO-247-4
交期
现货
批次
—
GC3M0045065K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | GC3M0045065K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.007718 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:650V 电流:49A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
GC3M0045065K概述
数量：1个N沟道 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：49A