GC3M0021120K
IC
TO-247-4
可供量大可议
GC3M0021120K
特性：优化封装， 带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
品牌
SUPSiC
封装
TO-247-4
库存
93
货期
现货
GC3M0021120K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 93 |
GC3M0021120K概述
特性：优化封装， 带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
GC3M0021120K特性
暂无产品特性。
GC3M0021120K应用领域
暂无应用领域。