GC3M0015065K
Available可供
IC
TO-247-4
GC3M0015065K
特性：优化封装， 带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤， 符合 RoHS 标准。 应用：EV 充电器。 太阳能逆变器
Brand
SUPSiC
Package
TO-247-4
交期
现货
Date Code
两年内
GC3M0015065KParameters
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@15V |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 416W |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF |
| 输出电容(Coss) | 289pF |
GC3M0015065K概述
特性：优化封装， 带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压， 低导通电阻。 高速开关， 低电容。 快速本征二极管， 低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤， 符合 RoHS 标准。 应用：EV 充电器。 太阳能逆变器