GC3D10065H
IC
TO-247-2
可供量大可议
GC3D10065H
碳化硅肖特基二极管 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):30A 正向压降(Vf):1.27V 总电容电荷（Qc）:24nC 总功率(Ptot):136W
品牌
SUPSiC
封装
TO-247-2
库存
46
货期
现货
GC3D10065H参数
| 封装 | TO-247-2 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.5V |
| 反向电流(Ir) | 60uA@650V |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 整流电流 | 30A |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 90A |
GC3D10065H概述
碳化硅肖特基二极管 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):30A 正向压降(Vf):1.27V 总电容电荷（Qc）:24nC 总功率(Ptot):136W
GC3D10065H特性
暂无产品特性。
GC3D10065H应用领域
暂无应用领域。