GC2M1000170D
IC
TO247-3
可供量大可议
GC2M1000170D
特性：高速开关， 低电容。 高阻断电压， 低导通电阻。 易于并联， 驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：辅助电源。 开关电源
品牌
SUPSiC
封装
TO247-3
库存
414
货期
现货
GC2M1000170D参数
| 封装 | TO247-3 |
|---|---|
| 品牌 | SUPSiC(国晶微半导体) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 输入电容(Ciss) | 215pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@20V |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 414 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
GC2M1000170D概述
特性：高速开关， 低电容。 高阻断电压， 低导通电阻。 易于并联， 驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤， 符合RoHS标准。 应用：辅助电源。 开关电源
GC2M1000170D特性
暂无产品特性。
GC2M1000170D应用领域
暂无应用领域。