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GC2M0160120D
自营可供
IC

TO-247-3

GC2M0160120D

特性:高阻断电压, 低导通电阻。 高速开关, 低电容。 易于并联, 驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤, 符合RoHS标准。 应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

品牌

SUPSiC

封装

TO-247-3

交期

现货

批次

25+

GC2M0160120D参数

封装TO-247-3
品牌SUPSiC(国晶微半导体)
批次25+
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
阈值电压(Vgs(th))2.9V
输入电容(Ciss)606pF
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))160mΩ@20V
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存311
MOQ / SPQ1 / 1
类型N沟道
耗散功率(Pd)125W
栅极电荷量(Qg)40nC
反向传输电容(Crss)5pF
输出电容(Coss)58pF

GC2M0160120D概述

特性:高阻断电压, 低导通电阻。 高速开关, 低电容。 易于并联, 驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤, 符合RoHS标准。 应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

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