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GBS65060TOB
IC

TO-247

可供量大可议

GBS65060TOB

650V高压超结MOSFET实现超低导通电阻和栅极电荷。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡, 在谐振开关拓扑中提供非常高的效率。 超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用, 并支持高功率密度应用。 采用TO-247封装。

品牌

GOSEMICON

封装

TO-247

库存

30

货期

现货

GBS65060TOB参数

封装TO-247
品牌GOSEMICON(顾邦半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存30

GBS65060TOB概述

650V高压超结MOSFET实现超低导通电阻和栅极电荷。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡, 在谐振开关拓扑中提供非常高的效率。 超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用, 并支持高功率密度应用。 采用TO-247封装。

GBS65060TOB特性

暂无产品特性。

GBS65060TOB应用领域

暂无应用领域。

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