GBS65060TOA
IC
TO-220
可供量大可议
GBS65060TOA
650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡, 在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。 超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用, 并支持高功率密度应用。 采用TO-220封装。
品牌
GOSEMICON
封装
TO-220
库存
31
货期
现货
GBS65060TOA参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | GOSEMICON(顾邦半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
GBS65060TOA概述
650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡, 在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。 超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用, 并支持高功率密度应用。 采用TO-220封装。
GBS65060TOA特性
暂无产品特性。
GBS65060TOA应用领域
暂无应用领域。
