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GBS65060TOA
IC

TO-220

可供量大可议

GBS65060TOA

650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡, 在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。 超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用, 并支持高功率密度应用。 采用TO-220封装。

品牌

GOSEMICON

封装

TO-220

库存

31

货期

现货

GBS65060TOA参数

封装TO-220
品牌GOSEMICON(顾邦半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存31

GBS65060TOA概述

650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡, 在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。 超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用, 并支持高功率密度应用。 采用TO-220封装。

GBS65060TOA特性

暂无产品特性。

GBS65060TOA应用领域

暂无应用领域。

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