GBJ3510-F
IC
GBJ
可供量大可议
GBJ3510-F
特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：2500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值：峰值400A。 适用于印刷电路板应用。 无铅表面处理； 符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
GBJ
库存
17
货期
现货
GBJ3510-F参数
| 封装 | GBJ |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 反向电流(Ir) | 10uA@1kV |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 1kV 3.6A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 整流桥 |
| 分类 | 整流桥 |
|---|---|
| 库存 | 17 |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@17.5A |
| 整流电流 | 3.6A |
| 非重复峰值浪涌电流(Ifsm) | 400A |
| 类型 | 单相整流 |
| 商品型号 | GBJ3510-F |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.009687 |
GBJ3510-F概述
特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：2500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值：峰值400A。 适用于印刷电路板应用。 无铅表面处理； 符合RoHS标准
GBJ3510-F特性
暂无产品特性。
GBJ3510-F应用领域
暂无应用领域。