GBJ2506-TD
IC
GBJ
可供量大可议
GBJ2506-TD
直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：25A 正向压降(Vf)：1.1V@12.5A 反向电流(Ir)：10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm)：350A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
TDSEMIC
封装
GBJ
库存
220
货期
现货
GBJ2506-TD参数
| 封装 | GBJ |
|---|---|
| 品牌 | TDSEMIC(拓电半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 整流桥 |
|---|---|
| 库存 | 220 |
GBJ2506-TD概述
直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：25A 正向压降(Vf)：1.1V@12.5A 反向电流(Ir)：10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm)：350A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
GBJ2506-TD特性
暂无产品特性。
GBJ2506-TD应用领域
暂无应用领域。