GBJ2010-F
IC
GBJ
可供量大可议
GBJ2010-F
特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：最小1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达240A峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL认证， 文件编号E94661。 无铅表面处理/符合RoHS标准
品牌
DIODES
封装
GBJ
库存
6
货期
现货
GBJ2010-F参数
| 封装 | GBJ |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 整流桥 |
|---|---|
| 库存 | 6 |
GBJ2010-F概述
特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：最小1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达240A峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL认证， 文件编号E94661。 无铅表面处理/符合RoHS标准
GBJ2010-F特性
暂无产品特性。
GBJ2010-F应用领域
暂无应用领域。