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GBI1A10
IC

ESOP-8L

可供量大可议

GBI1A10

GBI1A10支持6.5V到100V宽电压输入范围, 集成540mΩ上管/230mΩ下管MOSFET 和内部VCC LDO用以内部驱动供电, 无需使用外部续流二极管和外部VCC引脚电容; GBI1A10采用COT(Contant On Time)控制模式, 具有快速的负载动态响应; 支持100k-600kHz可配置开关频率范围, 提供多样的应用需求。 轻载下采用PFWM模式, 实现全负载范围内低纹波输出, 并且可以实现隔离输出。 GBI1A10拥有外部PG 引脚, 可以实现输出电压Good指示功能。 此外, GBI1A10集成了逐周期过流保护、热停机保护、输出短路以及输入电压欠压保护等保护功能, 进一步保障使用可靠性。

品牌

GOSEMICON

封装

ESOP-8L

库存

965

货期

现货

GBI1A10参数

封装ESOP-8L
品牌GOSEMICON(顾邦半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DC-DC电源芯片
库存965

GBI1A10概述

GBI1A10支持6.5V到100V宽电压输入范围, 集成540mΩ上管/230mΩ下管MOSFET 和内部VCC LDO用以内部驱动供电, 无需使用外部续流二极管和外部VCC引脚电容; GBI1A10采用COT(Contant On Time)控制模式, 具有快速的负载动态响应; 支持100k-600kHz可配置开关频率范围, 提供多样的应用需求。 轻载下采用PFWM模式, 实现全负载范围内低纹波输出, 并且可以实现隔离输出。 GBI1A10拥有外部PG 引脚, 可以实现输出电压Good指示功能。 此外, GBI1A10集成了逐周期过流保护、热停机保护、输出短路以及输入电压欠压保护等保护功能, 进一步保障使用可靠性。

GBI1A10特性

暂无产品特性。

GBI1A10应用领域

暂无应用领域。

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