GAN041-650WSBQ-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有高性能开关与导通能力， 适用于多种高功率电子系统。 其漏源电压（VDSS）为650V， 支持高压环境下的稳定运行； 最大漏极电流（ID）可达49A， 满足较大功率输出需求。 导通电阻（RDON）低至33mΩ， 有助于降低能耗并提升效率。 器件适用于各类电源变换装置、高效能电机驱动、储能管理系统及高频电子设备中的开关控制电路， 提供可靠且高效的性能表现。