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G6N02L-B
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

G6N02L-B

使用先进的沟槽技术, 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 可用于各种应用。

品牌

GOFORD

封装

SOT-23-3L

库存

100

货期

现货

G6N02L-B参数

封装SOT-23-3L
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存100

G6N02L-B概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 可用于各种应用。

G6N02L-B特性

暂无产品特性。

G6N02L-B应用领域

暂无应用领域。

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