G66
IC
DFN-6L(2x2)
可供量大可议
G66
G66采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
GOFORD
封装
DFN-6L(2x2)
库存
120
货期
现货
G66参数
| 封装 | DFN-6L(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 120 |
G66概述
G66采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
G66特性
暂无产品特性。
G66应用领域
暂无应用领域。