G4N60K
IC
TO-252
可供量大可议
G4N60K
特性：600V， 4A。 RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）， VGS = 10V。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准。 应用：高频开关模式电源。 不间断电源（UPS）
品牌
GOFORD
封装
TO-252
库存
70
货期
现货
G4N60K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
G4N60K概述
特性：600V， 4A。 RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）， VGS = 10V。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准。 应用：高频开关模式电源。 不间断电源（UPS）
G4N60K特性
暂无产品特性。
G4N60K应用领域
暂无应用领域。