G40H100CTFW-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
G40H100CTFW-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为40A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.82V, 在较高电压应用中仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为100μA。 器件具备350A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高效率电源整流、多路输出开关电源及对热性能和可靠性要求较高的电力转换系统。 共阴极结构有助于简化电路布局并提升集成便利性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
47
货期
现货
G40H100CTFW-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
G40H100CTFW-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为40A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.82V, 在较高电压应用中仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为100μA。 器件具备350A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高效率电源整流、多路输出开关电源及对热性能和可靠性要求较高的电力转换系统。 共阴极结构有助于简化电路布局并提升集成便利性。
G40H100CTFW-HXY特性
暂无产品特性。
G40H100CTFW-HXY应用领域
暂无应用领域。
