G3R40MT12D
IC
TO-247-3
可供量大可议
G3R40MT12D
特性：G3R SiC MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 正常关断， 最高可在175°C稳定运行。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车/混合动力汽车充电
品牌
Navitas
封装
TO-247-3
库存
3
货期
现货
G3R40MT12D参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Navitas(纳微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
G3R40MT12D概述
特性：G3R SiC MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 正常关断， 最高可在175°C稳定运行。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车/混合动力汽车充电
G3R40MT12D特性
暂无产品特性。
G3R40MT12D应用领域
暂无应用领域。