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G3K8N15KE
IC

TO-252

可供量大可议

G3K8N15KE

使用先进的沟槽技术, 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷, 可用于多种应用。

品牌

GOFORD

封装

TO-252

库存

5

货期

现货

G3K8N15KE参数

封装TO-252
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

G3K8N15KE概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷, 可用于多种应用。

G3K8N15KE特性

暂无产品特性。

G3K8N15KE应用领域

暂无应用领域。

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