G3F33MT06J-TR-HXY
IC
TO-263-7L
可供量大可议
G3F33MT06J-TR-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻低至26mΩ， 适用于高效率功率转换场景。 其栅源驱动电压范围为-10V至+25V， 具备良好的开关特性与热稳定性。 器件结构利用碳化硅材料优势， 在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-263-7L
Stock
10
货期
现货
G3F33MT06J-TR-HXYParameters
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
G3F33MT06J-TR-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压， 导通电阻低至26mΩ， 适用于高效率功率转换场景。 其栅源驱动电压范围为-10V至+25V， 具备良好的开关特性与热稳定性。 器件结构利用碳化硅材料优势， 在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
G3F33MT06J-TR-HXY特性
暂无产品特性。
G3F33MT06J-TR-HXY应用领域
暂无应用领域。