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G3400L-B
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

G3400L-B

使用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并可在低至2.5V的栅极电压下工作。 适用于电池保护或其他开关应用。

品牌

GOFORD

封装

SOT-23-3L

库存

150

货期

现货

G3400L-B参数

封装SOT-23-3L
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 50
分类场效应管(MOSFET)
库存150

G3400L-B概述

使用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并可在低至2.5V的栅极电压下工作。 适用于电池保护或其他开关应用。

G3400L-B特性

暂无产品特性。

G3400L-B应用领域

暂无应用领域。

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