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G30N02T
IC

TO-220

可供量大可议

G30N02T

使用先进的沟槽技术和设计, 提供出色的导通电阻和低栅极电荷, 可用于各种应用。

品牌

GOFORD

封装

TO-220

库存

5

货期

现货

G30N02T参数

封装TO-220
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

G30N02T概述

使用先进的沟槽技术和设计, 提供出色的导通电阻和低栅极电荷, 可用于各种应用。

G30N02T特性

暂无产品特性。

G30N02T应用领域

暂无应用领域。

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