G2R1000MT17D-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力， 导通电阻典型值为800mΩ， 可承受最高22V的栅源电压。 基于碳化硅材料的特性， 器件具备优异的耐压性能和开关特性， 适用于高效率、高频率的电力转换场合。 其高热导率和耐高温能力有助于提升系统在严苛环境下的稳定性。 典型应用包括高压直流变换、大功率开关电源及要求紧凑设计与高可靠性的电力电子装置， 适合对功率密度和能效有较高要求的系统集成。