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G250N03IE
IC

SOT-23

可供量大可议

G250N03IE

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷, 可用于各种应用。

品牌

GOFORD

封装

SOT-23

库存

10

货期

现货

G250N03IE参数

封装SOT-23
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存10

G250N03IE概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷, 可用于各种应用。

G250N03IE特性

暂无产品特性。

G250N03IE应用领域

暂无应用领域。

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