G2302S
IC
SOT-23
可供量大可议
G2302S
商品目录 场效应管(MOSFET)； 类型 1个N沟道； 漏源电压(Vdss) 20V； 连续漏极电流(Id) 2.3A； 功率(Pd) 1W； 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id) 48mΩ@4.5V, 2A； 阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA； 栅极电荷(Qg@Vgs) 5.4nC@4.5V； 输入电容(Ciss@Vds) 160pF@10V； 反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@10V； 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
品牌
LGE
封装
SOT-23
库存
1,150
货期
现货
G2302S参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1150 |
G2302S概述
商品目录 场效应管(MOSFET)； 类型 1个N沟道； 漏源电压(Vdss) 20V； 连续漏极电流(Id) 2.3A； 功率(Pd) 1W； 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id) 48mΩ@4.5V, 2A； 阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA； 栅极电荷(Qg@Vgs) 5.4nC@4.5V； 输入电容(Ciss@Vds) 160pF@10V； 反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@10V； 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
G2302S特性
暂无产品特性。
G2302S应用领域
暂无应用领域。