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G2022Q
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IC

DFN-8(2x3)

G2022Q

G2022Q是一款250V高压半桥高低侧 MOS 驱动芯片, 单芯片集成高低侧驱动, 输入兼容 3.3V 逻辑电平, 内置死区防直通、驱动输出电流大; 高侧浮压最高 250V, DFN2×3-8 封装, 工作温区 - 40℃~125℃。

品牌

WXNSIC

封装

DFN-8(2x3)

交期

现货

批次

25+

G2022Q参数

封装DFN-8(2x3)
品牌WXNSIC(国硅集成)
批次25+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)1.2A
上升时间(tr)50ns
传播延迟 tpLH150ns
工作温度-40℃~+125℃
输入低电平(VIL)800mV
分类栅极驱动芯片
库存5
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT
灌电流(IOL)1.5A
工作电压5V~20V
下降时间(tf)40ns
传播延迟 tpHL140ns
输入高电平(VIH)2.5V
静态电流(Iq)190uA

G2022Q概述

G2022Q是一款250V高压半桥高低侧 MOS 驱动芯片, 单芯片集成高低侧驱动, 输入兼容 3.3V 逻辑电平, 内置死区防直通、驱动输出电流大; 高侧浮压最高 250V, DFN2×3-8 封装, 工作温区 - 40℃~125℃。

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