G2021
IC
SOIC-8
可供量大可议
G2021
250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A
品牌
WXNSIC
封装
SOIC-8
库存
1
货期
现货
G2021参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | WXNSIC(国硅集成) |
| 批次 | 25+ |
| 驱动配置 | 低边； 高边 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 1.2A |
| 上升时间(tr) | 50ns |
| 传播延迟 tpLH | 150ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V |
| 静态电流(Iq) | 160uA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET； IGBT |
| 灌电流(IOL) | 1.5A |
| 工作电压 | 6V~20V |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 传播延迟 tpHL | 140ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入低电平(VIL) | 800mV |
| 功能特性 | 交错导通保护； 死区时间控制 |
G2021概述
250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A
G2021特性
暂无产品特性。
G2021应用领域
暂无应用领域。