G12P10K
IC
TO-252
可供量大可议
G12P10K
特性：VDS：-100V。 ID (at VGS = -10V)：-12A。 RDS(ON) (at VGS = -10V) < 200mΩ。 RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 250mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。 应用：电源开关。 DC/DC转换器
品牌
GOFORD
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
G12P10K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | GOFORD(谷峰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
G12P10K概述
特性：VDS：-100V。 ID (at VGS = -10V)：-12A。 RDS(ON) (at VGS = -10V) < 200mΩ。 RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 250mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。 应用：电源开关。 DC/DC转换器
G12P10K特性
暂无产品特性。
G12P10K应用领域
暂无应用领域。