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G030N06M
IC

TO-263

可供量大可议

G030N06M

使用先进沟槽技术, 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷, 可用于多种应用。

品牌

GOFORD

封装

TO-263

库存

1

货期

现货

G030N06M参数

封装TO-263
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

G030N06M概述

使用先进沟槽技术, 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷, 可用于多种应用。

G030N06M特性

暂无产品特性。

G030N06M应用领域

暂无应用领域。

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